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AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264

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AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264

AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264
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Ampliación de imagen :  AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264

Datos del producto:
Nombre de la marca: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de modelo: Se trata de la categoría de los productos que se consideran originarios de la Unión.
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Cantidad disponible 51208 Piezas

AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264

descripción
Modelo de producto: AO4264E Paquete del proveedor: SOP8
Breve descripción: MOSFET Categoría de producto: Comparador de circuito integrado
Áreas de aplicación: Reguladores integrados de los procesadores Fecha de la fabricación: Dentro de un año
Alta luz:

AO4264E

,

Transistor de efecto de campo AO4264E

,

Transistor de efecto de campo superficial del soporte

  • Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • Descripción: MOSFET Transistor N Canal 60V13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264

  • Categoría: Productos discretos de semiconductores

  • Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - Uno

  • Envase / estuche
    8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
    Envío
    UPS/EMS/DHL/FedEx Express. ¿Qué es lo que quiere decir?
    Condición
    Nueva fábrica original.
     

    Especificaciones

    Serie
    Se trata de un sistema de control de la calidad.
    Paquete
    Cintas y bobinas (TR)
    Estado de las partes
    Actividad
    Tipo de FET
    N-canal
    Tecnología
    MOSFET (óxido metálico)
    Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
    Las demás:
    Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
    13.5A (Ta)
    Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
    4.5V y 10V
    Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
    9El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.
    Vgs(th) (máximo) @ Id
    2.4V @ 250μA
    Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
    El número de unidades de carga de la unidad de carga
    Vgs (máximo)
    ± 20 V
    Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
    Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles
    Característica del FET
    -
    Disposición de energía (máximo)
    3.1W (Ta)
    Temperatura de funcionamiento
    -55 °C ~ 150 °C (TJ)
    Tipo de montaje
    Montura de la superficie
    Paquete de dispositivos del proveedor
    8 SO
     
     
AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264 0
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No se puede hacer nada. OPA2330 El objetivo de la medida es:
Diagrama del chip
AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264 1AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264 2AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264 3AO4264E Transistor de efecto de campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Montaje de superficie SOP8 4264 4

Las revisiones

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

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