Poder Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 de la protección de circuito
Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Modelo del producto:
IPD060N03LGATMA1
Paquete del proveedor:
TO-252-3
Breve descripción:
MOSFET N-CH 30V 50A
Categoría de producto:
FETs - solos
Áreas de aplicación:
Microprocesador de la protección de circuito
Fecha de la fabricación:
Dentro de un año
Alta luz:
Poder Mos Transistor Chip
,Poder Mos Transistor de la protección de circuito
Introducción
Protección IPD060N03LGATMA1 de Chip Discrete Semiconductors Circuit del transistor de efecto de campo
Gama de productos
- ¿OptiMOSª3? Poder-transistor, MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Datos básicos
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Infineon | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-252-3 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 30 V | |
| 50 A | |
| 6 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,2 V | |
| nC 14,4 | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 56 W | |
| Aumento | |
| OptiMOS | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Configuración: | Solo |
| Tiempo de caída: | 3 ns |
| Transconductancia delantera - minuto: | 34 S |
| Altura: | 2,3 milímetros |
| Longitud: | 6,5 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 3 ns |
| Serie: | OptiMOS 3 |
| 2500 | |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 20 ns |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 5 ns |
| Anchura: | 6,22 milímetros |
| Parte # alias: | IPD060N03L G SP000680632 |
| Peso de unidad: | 0,011640 onzas |
Uso
- Usos que cambian
- Motores de BLDC
- Motores síncronos trifásicos del imán permanente
- Inversores
- Medios conductores del puente
- Sistemas de control robóticos
- Dispositivos
- Infraestructura de la rejilla
- EPOS • Theate casero
- Sistemas eléctricos distribuidos
- Comunicaciones/infraestructura del establecimiento de una red
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
- Protección de Chip Discrete Semiconductors Circuit del transistor de efecto de campo IPD060N03LGATMA1
Proceso de la orden
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Chip Diagram
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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable