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IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Ampliación de imagen :  IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descripción
Número de parte: IRF9956PBF Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

IRF9956PBF Specifications

Part Status Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IRF9956PBF Packaging

Detection

IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2IRF9956PBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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