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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7331PBF

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7331PBF

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7331PBF

descripción
Número de parte: IRF7331PBF Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRF7331PBF

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 30 mOhm @ 7A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1340pF @ 16V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7331PBF

Detección

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