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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF5851TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF5851TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF5851TR

descripción
Número de parte: IRF5851TR Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRF5851TR

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.7A, 2.2A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 400pF @ 15V
Poder - máximo 960mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF5851TR

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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