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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF5850

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF5850

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF5850

descripción
Número de parte: IRF5850 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones IRF5850

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.2A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 320pF @ 15V
Poder - máximo 960mW
Temperatura de funcionamiento -
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado IRF5850

Detección

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