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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF6150

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF6150

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF6150

descripción
Número de parte: IRF6150 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones IRF6150

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7.9A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 3W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 16-FlipFet™
Paquete del dispositivo del proveedor 16-FlipFet™
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado IRF6150

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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