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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7504TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7504TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7504TR

descripción
Número de parte: IRF7504TR Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRF7504TR

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 1.7A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 700mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 240pF @ 15V
Poder - máximo 1.25W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", anchura de 3.00m m)
Paquete del dispositivo del proveedor Micro8™
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7504TR

Detección

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