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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7555TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7555TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7555TR

descripción
Número de parte: IRF7555TR Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRF7555TR

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 4.3A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 15nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1066pF @ 10V
Poder - máximo 1.25W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", anchura de 3.00m m)
Paquete del dispositivo del proveedor Micro8™
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7555TR

Detección

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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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