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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BTS7904BATMA1

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BTS7904BATMA1

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BTS7904BATMA1

descripción
Número de parte: BTS7904BATMA1 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: OptiMOS™

Especificaciones BTS7904BATMA1

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 55V, 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 40A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs mOhm 11,7 @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.2V @ 40µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 121nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 6100pF @ 25V
Poder - máximo 69W, 96W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-263-6, ² Pak (5 ventajas + etiquetas) de D, TO-263BA
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-5
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BTS7904BATMA1

Detección

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