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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7752GTRPBF

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7752GTRPBF

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7752GTRPBF

descripción
Número de parte: IRF7752GTRPBF Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRF7752GTRPBF

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 4.6A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 30 mOhm @ 4.6A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 861pF @ 25V
Poder - máximo 1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-TSSOP (0,173", anchura de 4.40m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7752GTRPBF

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

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