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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7105QTRPBF

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7105QTRPBF

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7105QTRPBF

descripción
Número de parte: IRF7105QTRPBF Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRF7105QTRPBF

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 25V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.5A, 2.3A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 100 mOhm @ 1A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 330pF @ 15V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7105QTRPBF

Detección

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