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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BSO350N03

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BSO350N03

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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BSO350N03

descripción
Número de parte: BSO350N03 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: OptiMOS™

Especificaciones BSO350N03

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 5A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 35 mOhm @ 6A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 6µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.7nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 480pF @ 15V
Poder - máximo 1.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor PG-DSO-8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BSO350N03

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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