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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BSO303PNTMA1

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BSO303PNTMA1

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BSO303PNTMA1

descripción
Número de parte: BSO303PNTMA1 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: OptiMOS™

Especificaciones BSO303PNTMA1

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 8.2A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 72.5nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1761pF @ 25V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor P-DSO-8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BSO303PNTMA1

Detección

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