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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AUIRF7313Q

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AUIRF7313Q

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AUIRF7313Q

descripción
Número de parte: AUIRF7313Q Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de AUIRF7313Q

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6.9A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 29 mOhm @ 6.9A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 33nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 755pF @ 25V
Poder - máximo 2.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de AUIRF7313Q

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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