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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L#A

Name: Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L#A
Brand: Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L#A
SKU: Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L#A
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L#A

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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L#A

descripción

Número de parte:	AON2801L#A	Fabricante:	& alfa; Omega Semiconductor Inc.
Descripción:	MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de AON2801L#A

Situación de la parte	Obsoleto
Tipo del FET	P-canal 2 (dual)
Característica del FET	Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	3A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	700pF @ 10V
Poder - máximo	1.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	6-WDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor	6-DFN (2x2)
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado de AON2801L#A

Detección

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L#A 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Especificaciones de AON2801L#A

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