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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN26D0UDJ-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN26D0UDJ-7

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN26D0UDJ-7

descripción
Número de parte: DMN26D0UDJ-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones DMN26D0UDJ-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 240mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3 ohmios @ 100mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.05V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 14.1pF @ 15V
Poder - máximo 300mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-963
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-963
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN26D0UDJ-7

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

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