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SSM6L36FE, órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo del LM

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SSM6L36FE, órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo del LM

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

SSM6L36FE, órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo del LM

descripción
Número de parte: SSM6L36FE,LM Fabricante: Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

SSM6L36FE, especificaciones del LM

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 500mA, 330mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 630 mOhm @ 200mA, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.23nC @ 4V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 46pF @ 10V
Poder - máximo 150mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor ES6 (1.6x1.6)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

SSM6L36FE, empaquetado del LM

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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