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PMGD290XN, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

PMGD290XN, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

descripción
Número de parte: PMGD290XN, 115 Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: TrenchMOS™

PMGD290XN, 115 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 860mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.72nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 34pF @ 20V
Poder - máximo 410mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

PMGD290XN, 115 que empaquetan

Detección

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Teléfono: +8615017926135

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