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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo RJM0603JSC-00#12

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo RJM0603JSC-00#12

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo RJM0603JSC-00#12
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo RJM0603JSC-00#12

descripción
Número de parte: RJM0603JSC-00#12 Fabricante: Electrónica América de Renesas
Descripción: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: Automotriz, AEC-Q101

Especificaciones RJM0603JSC-00#12

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 3 N y 3 (puente trifásico)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica, impulsión 4.5V
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 20A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 2600pF @ 10V
Poder - máximo 54W
Temperatura de funcionamiento 175°C
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso (0,433", anchura de 11.00m m) cojín expuesto 20-SOIC
Paquete del dispositivo del proveedor 20-HSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado RJM0603JSC-00#12

Detección

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