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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BUK9K25-40EX

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BUK9K25-40EX

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BUK9K25-40EX
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BUK9K25-40EX

descripción
Número de parte: BUK9K25-40EX Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: TrenchMOS™

Especificaciones de BUK9K25-40EX

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 18.2A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 24 mOhm @ 5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 6.3nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 701pF @ 25V
Poder - máximo 32W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-1205, 8-LFPAK56
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56D
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BUK9K25-40EX

Detección

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