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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de EM6K1T2R

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de EM6K1T2R

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de EM6K1T2R

descripción
Número de parte: EM6K1T2R Fabricante: Semiconductor de Rohm
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de EM6K1T2R

Situación de la parte No para los nuevos diseños
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 8 ohmios @ 10mA, 4V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 13pF @ 5V
Poder - máximo 150mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor EMT6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de EM6K1T2R

Detección

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