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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BSS138DW-7-F

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BSS138DW-7-F

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BSS138DW-7-F
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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BSS138DW-7-F

descripción
Número de parte: BSS138DW-7-F Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de BSS138DW-7-F

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 50V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 200mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3,5 ohmios @ 220mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 50pF @ 10V
Poder - máximo 200mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BSS138DW-7-F

Detección

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