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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG1016V-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG1016V-7

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG1016V-7

descripción
Número de parte: DMG1016V-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones DMG1016V-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 870mA, 640mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 60.67pF @ 16V
Poder - máximo 530mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-563
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMG1016V-7

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

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