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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN32D2LDF-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN32D2LDF-7

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN32D2LDF-7
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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN32D2LDF-7

descripción
Número de parte: DMN32D2LDF-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones DMN32D2LDF-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Fuente común (dual) de 2 canales N
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 400mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,2 ohmios @ 100mA, 4V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 39pF @ 3V
Poder - máximo 280mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-353
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN32D2LDF-7

Detección

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