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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTZD3154NT1G

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTZD3154NT1G

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTZD3154NT1G

descripción
Número de parte: NTZD3154NT1G Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de NTZD3154NT1G

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 540mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 150pF @ 16V
Poder - máximo 250mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-563
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NTZD3154NT1G

Detección

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Contacto
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