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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PMDXB600UNEZ

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PMDXB600UNEZ

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PMDXB600UNEZ

descripción
Número de parte: PMDXB600UNEZ Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de PMDXB600UNEZ

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 600mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 21.3pF @ 10V
Poder - máximo 265mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-XFDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor DFN1010B-6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de PMDXB600UNEZ

Detección

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