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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTGD4167CT1G

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTGD4167CT1G

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTGD4167CT1G

descripción
Número de parte: NTGD4167CT1G Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de NTGD4167CT1G

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.6A, 1.9A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 295pF @ 15V
Poder - máximo 900mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NTGD4167CT1G

Detección

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