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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTLJD3119CTBG

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTLJD3119CTBG

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTLJD3119CTBG

descripción
Número de parte: NTLJD3119CTBG Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: µCool™

Especificaciones de NTLJD3119CTBG

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.6A, 2.3A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 271pF @ 10V
Poder - máximo 710mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-WDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor 6-WDFN (2x2)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NTLJD3119CTBG

Detección

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