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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMHC3A01N8TC

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMHC3A01N8TC

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMHC3A01N8TC

descripción
Número de parte: ZXMHC3A01N8TC Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de ZXMHC3A01N8TC

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 2 N y 2 (H-puente)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.17A, 1.64A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 125 mOhm @ 2.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 190pF @ 25V
Poder - máximo 870mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de ZXMHC3A01N8TC

Detección

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