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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMHC6A07T8TA

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMHC6A07T8TA

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMHC6A07T8TA

descripción
Número de parte: ZXMHC6A07T8TA Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de ZXMHC6A07T8TA

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 2 N y 2 (H-puente)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 1.6A, 1.3A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 300 mOhm @ 1.8A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.2nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 166pF @ 40V
Poder - máximo 1.3W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-223-8
Paquete del dispositivo del proveedor SM8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de ZXMHC6A07T8TA

Detección

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