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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo FDS3890

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo FDS3890

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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo FDS3890

descripción
Número de parte: FDS3890 Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

Especificaciones FDS3890

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 80V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 4.7A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 44 mOhm @ 4.7A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1180pF @ 40V
Poder - máximo 900mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado FDS3890

Detección

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Persona de Contacto: Darek

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