APT65GP60L2DQ2G Módulo de potencia IGBT Transistor 600V 198A 833W TO264 Microsemi Corporation 65GP60
APT65GP60L2DQ2G
,Módulo de poder de IGBT 198A
,Módulo de poder de IGBT 833W
APT65GP60L2DQ2G Módulo de potencia IGBT Transistores IGBT individuales
APT65GP60L2DQ2G Especificaciones
| Estado de la pieza | No para nuevos diseños. |
|---|---|
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 600V |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 198A |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 250A |
| Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 2,7 V a 15 V, 65 A |
| Potencia - Máx. | 833W |
| Energía de conmutación | 605 µJ (encendido), 895 µJ (apagado) |
| Tipo de entrada | Estándar |
| Carga de la puerta | 210nC |
| Td (encendido/apagado) @ 25°C | 30ns/90ns |
| Condición de prueba | 400 V, 65 A, 5 ohmios, 15 V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Condición | Nueva fábrica original |
Embalaje APT65GP60L2DQ2G
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