Módulo IGBT de transistor bipolar de puerta aislada APT50GT60BRDQ2G Microsemi Corporation 50GT60
APT50GT60BRDQ2G
,Transistor bipolar aislado IGBT de la puerta
,IGBT aisló el transistor bipolar de la puerta
APT50GT60BRDQ2G Módulo de potencia IGBT Transistores IGBT individuales
APT50GT60BRDQ2G Especificaciones
| Estado de la pieza | Activo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | TNP |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 600V |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 110A |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 150A |
| Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 2,5 V a 15 V, 50 A |
| Potencia - Máx. | 446W |
| Energía de conmutación | 995 µJ (encendido), 1070 µJ (apagado) |
| Tipo de entrada | Estándar |
| Carga de la puerta | 240nC |
| Td (encendido/apagado) @ 25°C | 14ns/240ns |
| Condición de prueba | 400 V, 50 A, 5 ohmios, 15 V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 22ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | A-247 [B] |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Condición | Nueva fábrica original |
Embalaje APT50GT60BRDQ2G
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