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Transistores IGBTs del módulo de poder de RJH60D5BDPQ-E0#T2 IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Fabricante:
Electrónica América de Renesas
Descripción:
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones RJH60D5BDPQ-E0#T2

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 75A
Actual - colector pulsado (Icm) -
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A
Poder - máximo 200W
Energía que cambia 400µJ (encendido), 810µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 78nC
TD (con./desc.) @ 25°C 50ns/130ns
Condición de prueba 300V, 37A, 5 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 25ns
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado RJH60D5BDPQ-E0#T2

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable