Transistores IGBTs del módulo de poder de RJH60D5BDPQ-E0#T2 IGBT solo
Especificaciones
Número de parte:
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Fabricante:
Electrónica América de Renesas
Descripción:
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones RJH60D5BDPQ-E0#T2
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo de IGBT | Foso |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 75A |
Actual - colector pulsado (Icm) | - |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 37A |
Poder - máximo | 200W |
Energía que cambia | 400µJ (encendido), 810µJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 78nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 50ns/130ns |
Condición de prueba | 300V, 37A, 5 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | 25ns |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete/caso | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado RJH60D5BDPQ-E0#T2
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable