Transistores IGBTs del módulo de poder de HGT1S12N60A4S9A IGBT solo
Especificaciones
Número de parte:
HGT1S12N60A4S9A
Fabricante:
Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción:
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de HGT1S12N60A4S9A
Situación de la parte | Obsoleto |
---|---|
Tipo de IGBT | - |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 54A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 96A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Poder - máximo | 167W |
Energía que cambia | 55µJ (encendido), 50µJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 78nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 17ns/96ns |
Condición de prueba | 390V, 12A, 10 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de HGT1S12N60A4S9A
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable