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Transistores IGBTs del módulo de poder de FGA25N120FTD IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
FGA25N120FTD
Fabricante:
Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción:
IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones de FGA25N120FTD

Situación de la parte Obsoleto
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) 50A
Actual - colector pulsado (Icm) 75A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Poder - máximo 313W
Energía que cambia 340µJ (encendido), 900µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 160nC
TD (con./desc.) @ 25°C 48ns/210ns
Condición de prueba 600V, 25A, 15 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 770ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de FGA25N120FTD

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable