Transistores IGBTs del módulo de poder de IRG7CH11K10EF IGBT solo
Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
IRG7CH11K10EF
Fabricante:
Tecnologías de Infineon
Descripción:
IGBT 1200V MUEREN
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de IRG7CH11K10EF
| Situación de la parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo de IGBT | - |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | - |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | - |
| Actual - colector pulsado (Icm) | - |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | - |
| Poder - máximo | - |
| Energía que cambia | - |
| Tipo entrado | - |
| Carga de la puerta | - |
| TD (con./desc.) @ 25°C | - |
| Condición de prueba | - |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Montaje del tipo | - |
| Paquete/caso | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de IRG7CH11K10EF
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable