Transistores IGBTs del módulo de poder de IRG7CH35UEF IGBT solo
Especificaciones
Número de parte:
IRG7CH35UEF
Fabricante:
Tecnologías de Infineon
Descripción:
IGBT 1200V ULTRARRÁPIDOS MUEREN
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de IRG7CH35UEF
Situación de la parte | Obsoleto |
---|---|
Tipo de IGBT | - |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 1200V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | - |
Actual - colector pulsado (Icm) | - |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 5A |
Poder - máximo | - |
Energía que cambia | - |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 85nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 30ns/160ns |
Condición de prueba | 600V, 20A, 10 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | Muera |
Paquete del dispositivo del proveedor | Muera |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de IRG7CH35UEF
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable