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Transistores IGBTs del módulo de poder de IRG7CH35UEF IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
IRG7CH35UEF
Fabricante:
Tecnologías de Infineon
Descripción:
IGBT 1200V ULTRARRÁPIDOS MUEREN
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones de IRG7CH35UEF

Situación de la parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) -
Actual - colector pulsado (Icm) -
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 5A
Poder - máximo -
Energía que cambia -
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 85nC
TD (con./desc.) @ 25°C 30ns/160ns
Condición de prueba 600V, 20A, 10 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso Muera
Paquete del dispositivo del proveedor Muera
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRG7CH35UEF

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable