Enviar mensaje
En casa > productos > Módulo de potencia IGBT > Transistores IGBTs del módulo de poder de IRG8B08N120KDPBF IGBT solo

Transistores IGBTs del módulo de poder de IRG8B08N120KDPBF IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
IRG8B08N120KDPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
DIODO 1200V 8A TO-220
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones de IRG8B08N120KDPBF

Situación de la parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) 15A
Actual - colector pulsado (Icm) 15A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Poder - máximo 89W
Energía que cambia 300µJ (encendido), 300µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 45nC
TD (con./desc.) @ 25°C 20ns/160ns
Condición de prueba 600V, 5A, 47 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 50ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRG8B08N120KDPBF

Detección

Transistores IGBTs del módulo de poder de IRG8B08N120KDPBF IGBT soloTransistores IGBTs del módulo de poder de IRG8B08N120KDPBF IGBT soloTransistores IGBTs del módulo de poder de IRG8B08N120KDPBF IGBT soloTransistores IGBTs del módulo de poder de IRG8B08N120KDPBF IGBT solo

Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable