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Transistores IGBTs del módulo de poder de STGB30V60F IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Descripción:
PUERTA FIELD-STOP IGBT, V S DEL FOSO
Número de parte:
STGB30V60F
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones de STGB30V60F

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 60A
Actual - colector pulsado (Icm) 120A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Poder - máximo 260W
Energía que cambia 383µJ (encendido), 233µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 163nC
TD (con./desc.) @ 25°C 45ns/189ns
Condición de prueba 400V, 30A, 10 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de STGB30V60F

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable