Transistores IGBTs del módulo de poder de STGB30V60F IGBT solo
Especificaciones
Descripción:
PUERTA FIELD-STOP IGBT, V S DEL FOSO
Número de parte:
STGB30V60F
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de STGB30V60F
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 60A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 120A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
Poder - máximo | 260W |
Energía que cambia | 383µJ (encendido), 233µJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 163nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 45ns/189ns |
Condición de prueba | 400V, 30A, 10 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de STGB30V60F
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable