Transistores IGBTs del módulo de poder de NGTB50N120FL2WG IGBT solo
Especificaciones
Descripción:
IGBT 1200V 100A 535W TO247
Número de parte:
NGTB50N120FL2WG
Fabricante:
EN el semiconductor
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de NGTB50N120FL2WG
Situación de la parte | Activo |
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Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 1200V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 100A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 200A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Poder - máximo | 535W |
Energía que cambia | 4.4mJ (encendido), 1.4mJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 311nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 118ns/282ns |
Condición de prueba | 600V, 50A, 10 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | 256ns |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete/caso | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de NGTB50N120FL2WG
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable