Transistores IGBTs del módulo de poder de IRG8CH10K10F IGBT solo
Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
IRG8CH10K10F
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT 1200V 5A MUEREN
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de IRG8CH10K10F
| Situación de la parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo de IGBT | - |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 1200V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | - |
| Actual - colector pulsado (Icm) | - |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Poder - máximo | - |
| Energía que cambia | - |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 30nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 20ns/160ns |
| Condición de prueba | 600V, 5A, 47 ohmios, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | Muera |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Muera |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de IRG8CH10K10F
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable