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Transistores IGBTs del módulo de poder de APT50GS60BRDQ2G IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
APT50GS60BRDQ2G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
IGBT 600V 93A 415W TO247
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Serie:
Rayo IGBT®
Introducción

Especificaciones de APT50GS60BRDQ2G

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT NPT
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 93A
Actual - colector pulsado (Icm) 195A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A
Poder - máximo 415W
Energía que cambia 755µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 235nC
TD (con./desc.) @ 25°C 16ns/225ns
Condición de prueba 400V, 40A, 4,7 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 25ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 [B]
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de APT50GS60BRDQ2G

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable