Transistores IGBTs del módulo de poder de HGTD1N120BNS9A IGBT solo
Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
HGTD1N120BNS9A
Fabricante:
Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de HGTD1N120BNS9A
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | NPT |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 1200V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 5.3A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 6A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Poder - máximo | 60W |
| Energía que cambia | 70µJ (encendido), 90µJ (apagado) |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 14nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 15ns/67ns |
| Condición de prueba | 960V, 1A, 82 ohmios, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de HGTD1N120BNS9A
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable