Transistores IGBTs del módulo de poder de STGW30M65DF2 IGBT solo
Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
STGW30M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
SE DE LA PUERTA FIELD-STOP IGBT M DEL FOSO
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones STGW30M65DF2
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 650V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 60A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 120A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Poder - máximo | 258W |
| Energía que cambia | 300µJ (encendido), 960µJ (apagado) |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 80nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 31.6ns/115ns |
| Condición de prueba | 400V, 30A, 10 ohmios, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | 140ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete/caso | TO-247-3 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado STGW30M65DF2
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable