Transistores IGBTs del módulo de poder de APT45GP120B2DQ2G IGBT solo
Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
APT45GP120B2DQ2G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Serie:
MOS 7® DEL PODER
Introducción
Especificaciones de APT45GP120B2DQ2G
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Pinta |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 1200V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 113A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 170A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Poder - máximo | 625W |
| Energía que cambia | 900µJ (encendido), 905µJ (apagado) |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 185nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 18ns/100ns |
| Condición de prueba | 600V, 45A, 5 ohmios, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete/caso | Variante TO-247-3 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de APT45GP120B2DQ2G
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable