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Transistores IGBTs del módulo de poder de APT75GN60LDQ3G IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
APT75GN60LDQ3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
IGBT 600V 155A 536W TO264
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones de APT75GN60LDQ3G

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 155A
Actual - colector pulsado (Icm) 225A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A
Poder - máximo 536W
Energía que cambia 2500µJ (encendido), 2140µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 485nC
TD (con./desc.) @ 25°C 47ns/385ns
Condición de prueba 400V, 75A, 1 ohmio, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-264-3, TO-264AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264 [L]
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de APT75GN60LDQ3G

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable