Transistores IGBTs del módulo de poder de APT75GN60LDQ3G IGBT solo
Especificaciones
Número de parte:
APT75GN60LDQ3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
IGBT 600V 155A 536W TO264
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de APT75GN60LDQ3G
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 155A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 225A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
Poder - máximo | 536W |
Energía que cambia | 2500µJ (encendido), 2140µJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 485nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 47ns/385ns |
Condición de prueba | 400V, 75A, 1 ohmio, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete/caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264 [L] |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de APT75GN60LDQ3G
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable