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Transistores IGBTs del módulo de poder de STGD6M65DF2 IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Descripción:
PUERTA FIELD-STOP IGBT, M S DEL FOSO
Número de parte:
STGD6M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Serie:
M
Introducción

Especificaciones STGD6M65DF2

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 650V
Actual - colector (Ic) (máximo) 12A
Actual - colector pulsado (Icm) 24A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Poder - máximo 88W
Energía que cambia 36µJ (encendido), 200µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 21.2nC
TD (con./desc.) @ 25°C 15ns/90ns
Condición de prueba 400V, 6A, 22 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 140ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STGD6M65DF2

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable