Transistores IGBTs del módulo de poder de STGD6M65DF2 IGBT solo
Especificaciones
Descripción:
PUERTA FIELD-STOP IGBT, M S DEL FOSO
Número de parte:
STGD6M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Serie:
M
Introducción
Especificaciones STGD6M65DF2
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 650V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 12A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 24A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
Poder - máximo | 88W |
Energía que cambia | 36µJ (encendido), 200µJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 21.2nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 15ns/90ns |
Condición de prueba | 400V, 6A, 22 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | 140ns |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado STGD6M65DF2
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable