Transistores IGBTs del módulo de poder de RGT8BM65DTL IGBT solo
Especificaciones
Número de parte:
RGT8BM65DTL
Fabricante:
Semiconductores Rohm
Descripción:
IGBT 650V 8A 62W TO-252
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de RGT8BM65DTL
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 650V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 8A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 12A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Poder - máximo | 62W |
Energía que cambia | - |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 13.5nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 17ns/69ns |
Condición de prueba | 400V, 4A, 50 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | 40ns |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de RGT8BM65DTL
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable